去胶的作用是什么？
该过程是将刻蚀后在硅片表面残留的光刻胶去除，以便进行下一步工艺。光刻胶的去除方法通常有：1、氧气灰化。该方法采用氧气或者高浓度氧化性气体，在一定温度的条件下，将光刻胶氧化成水和二氧化碳，再利用真空对氧化物进行抽取，将氧化后的产物去除。2、化学去胶。该方法是采用具有强腐蚀性的去胶液，将光刻胶腐蚀后，通过擦拭或者冲洗的方法将其去除。化学去胶一般用在硼扩散工艺之前，氧灰工艺一般用在硼扩散工艺之后。
光刻工艺后刻蚀后去胶的方法，一般采用等离子体灰化。灰化工艺就是用易挥发性反应物质，如氧、SF6和氩对有机分子进行反应或物理撞击，使硅片表面的光刻胶变成易挥发性的分子或原子而被气化，从硅片表面彻底清除，为进行下一步工艺做准备。